Объём 256 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI Express 3.0 x4 Версия NVMe 1.3 Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Размеры устройств M.2 2280 Ресурс записи 200 TBW
Объём 256 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI Express 3.0 x4 Версия NVMe 1.3 Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Размеры устройств M.2 2280 Время наработки на отказ (МТBF) 1 600 000 ч
Размеры устройств M.2: 2280 Версия NVMe: 1.3 Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 Форм-фактор: M.2 Скорость последовательной записи: 1 500 Мбайт/с Совместимость с PS5: нет Подсветка: нет
Версия NVMe 1.3 Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI Express 3.0 x4 Объем 480-512 ГБ Размеры устройств M.2 2280 Тип микросхем Flash 3D QLC NAND DRAM-буфер Нет
Объём 1 ТБ Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4) Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Размеры устройств M.2 2280 Ресурс записи 600 TBW Кэш Да SLC
Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI Express 4.0 x4 Контроллер Phison PS5018-E18 Объем 960Гб - 1 ТБ Размеры устройств M.2 2280 Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Дата выхода на рынок 2021
Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI Express 5.0 x4 Контроллер Silicon Motion SM2508 Объем 960Гб - 1 ТБ Размеры устройств M.2 2280 Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Дата выхода на рынок 2025
Объем: 256 ГБ Форм-фактор: M.2 2280 Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4) Скорость чтения: до 1988 МБ/с Скорость записи: до 1522 МБ/с Тип памяти NAND: 3D TLC Энергопотребление: Низкое
Объём 1 ТБ Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0) Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Размеры устройств M.2 2280 Ресурс записи 600 TBW Кэш Нет
Объём 1 ТБ Форм-фактор M.2 (NVMe 1.3) Интерфейс PCI Express 3.0 x4 Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Размеры устройств M.2 2280 Ресурс записи 760 TBW Аппаратное шифрование Нет
Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI Express 5.0 x2 Контроллер Samsung Piccolo Объем 960Гб - 1 ТБ Размеры устройств M.2 2280 Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Дата выхода на рынок 2024